[공학,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
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작성일 24-05-14 20:58
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test(실험) 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.2. test(실험) 방법
가. test(실험) 변수Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 Ωcm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나. test(실험) 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 70…(drop)4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
5) Wet oxidation
6) Ellipsometer을 이용하여 층의 thickness를 측정(measurement)한다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 alteration(변화)
에 어떤 influence(영향)을 주는지 확인하여본다.
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[공학,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
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실험과제/기타
설명
다.
2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다.순서
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[공학,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Cleaning & Oxidation
test(실험) 1 : Cleaning & Oxidation
1. test(실험) 목적MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다.
