[반도체] MOS 구조및 응용 텀프로젝트
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작성일 23-02-04 16:31
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물질 외부에 해당되는 진공의 에너지 준위는 위치에 따라 연속적인 함수이므로 각 물질들의 일함수()와 전자 친화도()를 알면 에너지 밴드도를 그릴 수 있따 그 예로서 알루미늄(일함수=4.1eV), 산화막(전자 친화도~0.95eV), 일정한 농도로 도핑된 p형 실리콘 (전자 친화도=4.05eV)으로 이루어지는 MOS 구조를 고려해 보자. 그림 1-1은 이 세가지 물질들이 서로 격리되어 있는 경우의 에너지 밴드도를 보여주고 있따
MOS 구조및 응용 텀프로젝트
1.1 열평형 상태의 에너지 밴드도
초기의 MOS 구조에는 앞서 언급했듯이 금속이 게이트 물질로 사용되었으나 근래의 기술에서는 일반적으로 금속 대신 고농도로 도핑된 폴리실리콘이 사용되고 있따 하지만 그 전기적 특성은 유사하므로 여기서는 금속을 사용하는 경우를 가정하여 그 특성을 설명한다.
열평형 상태에서 세 가지 서로 다른 물질이 하나의 시스템을 이룰 경우 페르미 준위가 높은 물질로부터 페르미 준위가 낮은 물질로 전자가 이동하여 시스템은 하나의 평탄한 페르미 준위를 갖게 된다. 또한 MOS 구조에서는 산화막 자체나 그 계면에 전하가 존재하는 것이 실제 상황이지만, 이해를 쉽게 하기 위해 우선 이러한 전하의 존재를 무시하는 이상적인 경우에 상대하여 설명한다.
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[반도체] MOS 구조및 응용 텀프로젝트
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mos,반도체, 열펼형, 에너지 밴드
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